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翟永彪，男，博士，助理教授，硕士生导师，深圳市高层次人才。主要从事新型电子器件（包括忆阻器和闪速存储器）研制和存算一体类脑神经形态芯片的研发。近年来已经以第一作者身份发表包括Advanced Materials，Advanced Functional Materials，Applied Physics Reviews，Nano Energy等多篇SCI论文。主持国家自然科学基金青年基金、广东省自然科学基金面上项目等5项。

E-mail：zhaiyb@szu.edu.cn

办公室：致腾楼909

工作经历

2023—至今，澳门3044永利，助理教授

2019—2023，澳门3044永利，专职副研究员

2017—2019，我校电子科学与技术学院，博士后

教育背景：

2017年，中国科学院大学，工学博士

2013年，中国科学院大学，工学硕士

2010年，燕山大学，      工学学士

研究方向

晶体管闪速存储器，两端忆阻器，三端晶体管型突触器件，存算一体芯片应用

代表论文

Infrared-sensitive memory based on direct-grown MoS2-upconversion nanoparticle heterostructure, Advanced Materials, 2018, 1803563. (中科院一区，Top期刊，IF=25.809）

2D Heterostructure for High-Order Spatiotemporal Information Processing, Advanced Functional Materials, 2022, 2108440. (中科院一区，Top期刊，IF=18.808)

Reconfigurable 2D-ferroelectric platform for neuromorphic computing，Applied Physics Reviews，2023，011408.（中科院一区，Top期刊，IF=19.527）

Near infrared neuromorphic computing via upconversion-mediated optogenetics, Nano Energy, 2020, 104262. (中科院一区，Top期刊，IF=15.548）

Toward non-volatile photonic memory: concept, material and design, Materials Horizons, 2018, 5, 641-654. (中科院一区，Top期刊，IF=14.356）

Energy-efficient transistors: suppressing the subthreshold swing below the physical limit. Materials Horizons, 2021, 5, 641-654. (中科院一区，Top期刊, IF=12.319)

Thermoelectric performance of the ordered In4Se3-In composite constructed by monotectic solidfication”, Journal of Materials Chemistry A, 1, 8844-8848. (中科院一区，Top期刊，IF=10.733）

The effect of the unpaired d-orbital electron number in Fe and Co catalysts on Fischer-Tropsch synthesis, Catalysis Science & Technology, 2016, 6, 7942.

主持科研项目

国家自然科学基金青年基金：基于二维铁电材料的多终端忆阻器晶体管及其类脑神经突触的研究，2021-2023

广东省自然科学基金面上项目：基于二维铁电异质结的光电双调控人造突触器件的研究，2021-2023

广东省自然科学基金青年项目：基于近红外光调控的仿生神经突触器件及其机理研究，2020-2022

深圳市基础研究面上项目：超低亚阈值摆幅场效应晶体管的设计、开发和优化，2022-2025

中国博士后科学基金（一等资助）：新型近红外光调控阻变存储器，2018-2019