近日，科技部公布国家重点研发计划项目评审立项结果。我校澳门3044永利赵晓锦教授主持申报的课题“三维RRAM器件电路异质集成技术研究”获得立项资助，课题获批中央财政经费326万元。该课题隶属于“微纳电子技术”重点专项中的共性关键技术类项目“功能融合型三维堆叠RRAM集成技术”。
该课题由我校牵头，中国科学院微电子研究所和北京理工大学为课题参与单位。本课题针对三维RRAM存储阵列与其CMOS外围电路在器件级和电路级的融合协同设计问题，RRAM-CMOS芯片级垂直键合工艺中广泛存在的热膨胀系数不匹配、应力集中、翘曲以及键合对位精度、键合率等问题以及RRAM-CMOS异质集成后三维堆叠微系统芯片的可测性问题，重点开展三维RRAM器件和CMOS外围电路的芯片级异质集成关键技术研究，开发适合规模量产的三维RRAM器件电路异质集成专用设计方法与工艺技术。
国家重点研发计划“微纳电子技术”重点专项的总体目标是：抓住微纳电子技术的重大变革机遇，聚焦集成度、能效和设计效率三大瓶颈问题，重点突破微纳电子技术领域的前沿基础问题和关键共性技术，通过新器件、新方法、新电路和新集成的多维协同创新，形成一批具有世界先进水平的创新成果，通过关键核心技术突破带动相关技术领域的全面进展，支撑战略性新应用。随着数字技术与网络技术的深入融合，数据正呈指数型增长，而以5G、大数据、云计算、人工智能、物联网、区块链等新一代信息技术产业化应用为标志的数字经济，需要一套完整的数字化基础设施（即“新基建”）作为支撑，对我国优化经济结构、支撑新型服务业和新经济、助推中国经济转型升级、迎接更大挑战至关重要。因此海量数据的存储计算等挑战，对集成电路新材料、新器件、新架构的需求显得格外迫切。通过本课题的实施和创新，预期可以产出三维阻变存储器件电路异质集成技术相关的一系列自主核心知识产权成果，这些将为我国在新型存储技术领域提供技术储备，并起到支撑和引领作用。此外，通过本课题的实施，除了在新型存储技术以及功能融合领域获得一批创新性研究成果以外，还将培养并建立一支汇集基础研究、应用研究和技术开发等方面为一体的具有国际领先水平的研究队伍，并成为新型三维存储领域可持续发展的中坚力量。课题实施过程中也将会加强和深化产业与高校的交流合作与技术转化，并促进工程技术人才的培养，确保长期可持续的产出核心自主知识产权和原创技术，促进我国“产学研”创新人才培养模式发展。
